近年來，納米材料近紅外光電探測器的研究取得了很大的進步，但是面臨的問題和挑戰(zhàn)依然還有很多，紅外探測器廠家介紹到主要由以下幾個方面：
  一、高質(zhì)量的材料生長技術
  近紅外光電探測器的性能取決于材料的形貌、品質(zhì)、導電率和尺寸等關鍵參數(shù)。雖然近年來在納米材料可控合成方面取得了長足的發(fā)展，但是尺寸、形貌和化學成分高度可控的納米材料的合成依然是限制納米光電器件走向應用的主要因素之一。此外，不同半導體材料的外延生長技術還不夠成熟。受到半導體晶格失配以及熱失配等因素的制約，高質(zhì)量的外延半導體材料工藝復雜、難以大規(guī)模集成。
  二、光電轉(zhuǎn)化效率提高方法
  探測材料對近紅外光的充分吸收是實現(xiàn)高效光電轉(zhuǎn)換的基礎。目前，采用超大比表面積的納米結構材料雖然能大幅度提高近紅外光的吸收能力，但是仍不能滿足高性能近紅外光電探測器的要求?；诰钟虮砻娴入x子共振效應的探測器件能將入射光局域在光吸收層表面附近，通過優(yōu)化吸收層表面貴金屬顆粒的種類、形貌、大小以及排列方式等參數(shù)，能很好地調(diào)整共振吸收峰的位置和強度。但是該領域的研究內(nèi)容還不夠豐富，基本理論還不夠系統(tǒng)全面。
  三、單元探測器的集成技術
  單元近紅外光電探測器功能十分有限，要想實現(xiàn)紅外成像等關鍵技術，需要將單元探測器組裝成紅外探測器陣列。制備探測器陣列的難點在于需要成熟可靠的加工手段來實現(xiàn)納米材料的精確轉(zhuǎn)移、規(guī)則布線以及電信號絕緣等工藝。目前，只有半導體硅的加工工藝最為成熟，其他半導體材料的集成工藝復雜、成本較高，短期內(nèi)難以實現(xiàn)大規(guī)模的商業(yè)化生產(chǎn)。