紅外探測(cè)器材料技術(shù)是紅外技術(shù)發(fā)展的核心和基礎(chǔ)。幾年來(lái)，隨著固態(tài)技術(shù)的發(fā)展和半導(dǎo)體材料提純和生長(zhǎng)工藝的進(jìn)步，紅外探測(cè)器材料技術(shù)有了巨大的進(jìn)展。

  這其中，多色、硅或鍺襯底碲鎘汞異質(zhì)外延薄膜材料技術(shù)易于實(shí)現(xiàn)大尺寸、低成本，能提高探測(cè)器識(shí)別目標(biāo)的能力，增加其抗干擾能力與帶寬，是第三代紅外探測(cè)器發(fā)展的關(guān)鍵材料之一，代表了紅外探測(cè)器材料技術(shù)發(fā)展的重要方向。

  量子阱紅外探測(cè)器材料近年來(lái)發(fā)展迅速，長(zhǎng)波陣列的性能已于碲鎘汞陣列的性能相當(dāng)。它具有獨(dú)特的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，更易于實(shí)現(xiàn)大規(guī)格和多色探測(cè)能力，也是紅外探測(cè)器材料技術(shù)的一個(gè)重要發(fā)展方向。

  非制冷紅外探測(cè)器材料具有低成本、低功耗、高可靠性等優(yōu)勢(shì)，能滿足第三代紅外探測(cè)器的高工作溫度要求，是為了小型低成本熱像儀的主流材料，未來(lái)的發(fā)展方向是繼續(xù)縮小像素尺寸，改善溫度靈敏度和空間分辨力，縮短響應(yīng)時(shí)間和降低成本。