紅外探測(cè)器材料是發(fā)展紅外探測(cè)器以至熱成像技術(shù)的基礎(chǔ)，它和紅外探測(cè)器的發(fā)展相輔相成。

  雖然早在19世紀(jì)就有了紅外探測(cè)器，而且在第一次世界大戰(zhàn)期間Ti2S紅外探測(cè)器已用于軍事目的，但只是到了第二次世界大戰(zhàn)期間有了PbS探測(cè)器以后，紅外探測(cè)器技術(shù)才受到了人們廣泛的重視并得到了迅速的發(fā)展。

  新的探測(cè)器材料不斷被研制出來，探測(cè)器的響應(yīng)波段很快就復(fù)蓋了1—3μm，3—5μm和8—12μm三個(gè)大氣窗口，與此同時(shí)，紅外探測(cè)器材料質(zhì)量的不斷改善使探測(cè)器的性能也不斷得到提高，有的達(dá)到了背景限，促進(jìn)了紅外技術(shù)的全面發(fā)展。

  眾多的紅外探測(cè)器材料，大體上可分為半導(dǎo)體光電探測(cè)器材料和熱敏探測(cè)器材料，包括熱釋電材料和熱敏電阻材料，在這些材料的發(fā)展中，值得提出的是：

  1、1958年發(fā)明的HgTe和CdTe的混品，它不僅把這類探測(cè)器材料的研究推進(jìn)到了一個(gè)更加強(qiáng)勁的發(fā)展階段，也成為熱成像技術(shù)的發(fā)展尊定了緊實(shí)的基礎(chǔ)。

  2、50年代中期，研制成功TGS晶體以后，使制造工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，成本低廉的熱釋電探測(cè)器得到了大的提高和發(fā)展，大大促進(jìn)了紅外技術(shù)在民用市場(chǎng)的開發(fā)。

  3、80年代中期，高溫（＞77K）超導(dǎo)材料的出現(xiàn)，使高溫超導(dǎo)探測(cè)器的研制成為一個(gè)新的熱點(diǎn)，也使這種幾乎不受工作波段限制的紅外探測(cè)器的大量開發(fā)和使用成為現(xiàn)實(shí)。